位置:首页 > IC中文资料第2871页 > NTF2955P
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTF2955P | PowerMOSFET 文件:115.8 Kbytes Page:5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件:952.04 Kbytes Page:7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
PowerMOSFET 文件:115.8 Kbytes Page:5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
INFRAREDICINTERNALINSPECTIONSYSTEM TheC2955isanICinternalinspectionsystemincorporatinganinfraredmicroscopeandaninfraredCCDcamera.UseofanewlydevelopedinfraredCCDcameraenablesahighsensitivityapproximatelytentimesthatofconventionalsystems(incomparisonsbyHAMAMATSU),atawavelengthof1.0µm,maki | HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社 | |||
1500MHzCenterFrequency 文件:52.5 Kbytes Page:3 Pages | KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc. | |||
WireConnectors 文件:401.38 Kbytes Page:1 Pages | Heyco Heyco | |||
1500MHzBandpassFilter 文件:72.2 Kbytes Page:3 Pages | KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc. | |||
ADSLLINETRANSFORMER 文件:277.44 Kbytes Page:1 Pages | BOTHHAND Bothhand USA |
NTF2955P产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTF2955P
- 功能描述
MOSFET PFET 60V 2.6A 0.14 SOT223
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON Semiconductor |
23+ |
TO2614 TO261AA |
9000 |
原装正品,支持实单 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
33500 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
|||
ON |
23+ |
SOT-223 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ON |
08+ |
42000 |
普通 |
||||
VB |
21+ |
SOT223 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ON |
1305+ |
SOT223 |
12000 |
||||
ONS |
2020+ |
SOT-223(TO-261) |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
VBSEMI |
19+ |
SOT223 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
23+ |
SOT223 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
ONS |
2000 |
NTF2955P规格书下载地址
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