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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance

NEC

瑞萨

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更新时间:2026-3-14 17:15:01
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