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50P06

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance

NEC

瑞萨

50P06

P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

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-50A, -60V P-CHANNEL (D-S) POWER MOSFET

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UTC

友顺

50P06

Isc P-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

50P06

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

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P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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更新时间:2025-12-26 10:07:00
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