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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NP90N04VDG | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP90N04VDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 4.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • High current ra | RENESAS 瑞萨 |   | |
NP90N04VDG | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | |
NP90N04VDG | Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP90N04VDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 4.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • High current ra | RENESAS 瑞萨 | | ||
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP90N04VDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 4.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • High current ra | RENESAS 瑞萨 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：439.98 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：409.07 Kbytes Page：5 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
N-Channel Trench Power MOSFET 文件：255.37 Kbytes Page：2 Pages | KEXIN 科信电子 | |
NP90N04VDG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP90N04VDG
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
TO-252 |
503110 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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NEC |
22+ |
TO-252 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
TO252 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
7500 |
原装正品支持实单 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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VB |
21+ |
TO-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO252 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO-252 |
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RENESAS/瑞萨原装特价NP90N04VDG即刻询购立享优惠#长期有货 |
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NEC |
23+ |
SOT252 |
8000 |
只做原装现货 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号： NP16N06QLK-E1-AY 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America Inc 封装：8-PowerL
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2019-1-4
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