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HMS90N04D

N-Channel Super Trench Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

N-Channel Trench Power MOSFET

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KEXIN

科信电子

Product Scout Automotive

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RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-11-23 23:00:00
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