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NP90N04VDG中文资料

厂家型号

NP90N04VDG

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NP90N04VDG数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The NP90N04VDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Logic level

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 4.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)

RDS(on)2 = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

• High current rating

ID(DC) = ±90 A

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

NP90N04VDG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP90N04VDG

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-10-17 17:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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