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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NP80N04EHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NP80N04EHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NP80N04EHE-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NP80N04EHE-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NP80N04EHE-E2-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NP80N04EHE-E2-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NP80N04EHE_15

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NP80N04EHE-E1-AYNote1,2

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NP80N04EHE-E2-AYNote1,2

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
80N04

N-Channel4-V(D-S)MOSFET

文件：1.26306 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
CJP80N04

N-ChannelPowerMOSFET

文件：1.35541 Mbytes Page：4 Pages

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
CJP80N04

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件：1.45351 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
HM80N04K

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：756.79 Kbytes Page：7 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI
LMAK80N04

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：900.34 Kbytes Page：6 Pages

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH

NP80N04EHE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP80N04EHE

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB

NP80N04EHE供应商更多...

更新时间：2024-6-17 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
NP80N04KHE
R
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NP80N04KHE-E1-AY
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NP80N04KHE-E1
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