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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NP80N03NDE

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID

NEC

瑞萨

NP80N03NDE

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2600 pF TYP.

RENESAS

瑞萨

NP80N03NDE

Product Scout Automotive

文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages

RENESAS

瑞萨

NP80N03NDE

Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive

RENESAS

瑞萨

NP80N03NDE-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2600 pF TYP.

RENESAS

瑞萨

NP80N03NDE-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID

NEC

瑞萨

NP80N03CLE

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID

NEC

瑞萨

NP80N03DLE

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID

NEC

瑞萨

NP80N03KLE

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID

NEC

瑞萨

SPB80N03

SIPMOS Power Transistor

Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature

SIEMENS

西门子

SPP80N03

SIPMOS Power Transistor

Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature

SIEMENS

西门子

NP80N03NDE产品属性

  • 类型

    描述

  • Ciss (pF) typ.：

    2600

  • Package Type：

    MP-25SK/TO-262

  • Vgs (off) (V) max.：

    2.5

  • Nch/Pch：

    Nch

  • VGSS (V)：

    20

  • Number of Channels：

    Single

  • Pch (W)：

    120

  • Automotive：

    YES

  • Application：

    Automotive Use

  • VDSS (V) max.：

    30

  • Mounting Type：

    Through Hole

  • ID (A)：

    80

  • Series Name：

    NP Series

  • RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：

    11

  • QG (nC) typ.：

    48

  • RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：

    7

NP80N03NDE供应商更多...

更新时间：2026-7-31 18:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
NP80N03NDE
NEC
23+
TO-220
33000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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深圳市赛美科科技有限公司
NP80N03KDE-E1
NEC
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深圳市芯皇电子有限公司
NP80N03NDE
RENESAS/瑞萨
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深圳市胜彬电子有限公司
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SOT263
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深圳市恒达亿科技有限公司
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NEC
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SOT-263
4500
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深圳市中联芯电子有限公司
NP80N03KLE
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TO263
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深圳市勤思达科技有限公司
NP80N03KLE
VBsemi
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TO263
5000
全新原装正品,现货销售
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NP80N03KDE
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市纳艾斯科技有限公司
NP80N03NDE
ST
24+
TO-262
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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