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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NP80N03ELE | SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NP80N03ELE | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=26 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
NP80N03ELE | MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=26 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=26 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.00146 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
FastSwitchingCharacteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 |  | | |
FastSwitchingCharacteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | | | |
N-ChannelPowerMOSFET 文件：996.62 Kbytes Page：4 Pages | JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd |  | |
NP80N03ELE产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP80N03ELE
- 功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
22+ |
SOT263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
NEC |
20+/21+ |
SOT-263 |
9500 |
全新原装进口价格优势 |
|||
NEC |
23+ |
SOT-263 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
NEC |
23+ |
TO-263 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
TO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
NEC |
22+ |
SOT-263 |
34137 |
只做原装进口现货 |
|||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
TO-263 |
|||
VBsemi |
2213+ |
TO263 |
6026 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
NEC |
23+ |
TO-252 |
9500 |
专业优势供应 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：NP16N06QLK-E1-AY 类别分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-阵列 制造商RenesasElectronicsAmericaInc 封装：8-PowerL
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2021-9-3NOSE687M002R0060 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
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2020-8-24NPA1006假一罚十
只做原装正品，欢迎咨询。
2020-7-16NPA-730B-005D
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2019-9-10
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