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位置：首页 > IC中文资料第815页 > NE6500379A

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE6500379A

3WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET

DESCRIPTION TheNE6500379Aisa3WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobilecommunicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering3wattofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyandexcellentdistortion.Reliabilityandper

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE6500379A

3W,L/S-BANDMEDIUMPOWERGaAsMESFET

DESCRIPTION NECsNE6500379Aisa3WGaAsMESFETdesignedformediumpowerFixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andreturnpathMMDStransmitterapplications.Itiscapableofdelivering3Wattsofoutputpowerwithhighlineargain,highefficiencyandexcellentlinearity.Reliability

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE6500379A

N-CHANNELGaAsMESFET

N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE6500379Aisa3WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering3wattofoutputpower(CW)withhigh lineargain,highefficiencyandexcellentdis

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NE6500379

3WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET

DESCRIPTION TheNE6500379Aisa3WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobilecommunicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering3wattofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyandexcellentdistortion.Reliabilityandper

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE6500379A-T1

3WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE6500379A-T1

3W,L/S-BANDMEDIUMPOWERGaAsMESFET

DESCRIPTION NECsNE6500379Aisa3WGaAsMESFETdesignedformediumpowerFixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andreturnpathMMDStransmitterapplications.Itiscapableofdelivering3Wattsofoutputpowerwithhighlineargain,highefficiencyandexcellentlinearity.Reliability

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE6500379A-T1

N-CHANNELGaAsMESFET

N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE6500379Aisa3WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering3wattofoutputpower(CW)withhigh lineargain,highefficiencyandexcellentdis

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NE6500379A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE6500379A

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS（最大值/最小值）

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

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更新时间：2024-5-17 19:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司
NE650103M
NEC
23+
SOP-8
18000
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深圳市天成基业科技有限公司
NE6500379A-TI
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NE6500379A-T1
NEC/Renesas Electronics Americ
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NE6500379A-T1
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NE650103MA
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NE6500379A-T1
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