NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源

时间:2013-1-14 15:26:00

描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT7

描述
NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。

特点
•快速瞬态响应时间
•过热保护
•过流保护
•商业(0 ° C至+70 ° C)温度范围
•减少需要的外部元件(开关FET,电感器,去耦电容)
•内部分压器终止电压保持在1 / 2内存电源电压
•参考其他存储器和控制组件
•关断引脚,可用于设备投入低功耗模式
•兼容DDR - I(VDD = 2.5 V)或DDR - II(VDD = 1.8伏)SDRAM的系统

应用
•桌面微机系统
•工作站
•服务器
•游戏机
•机顶盒
•嵌入式系统
•数字视频录像机

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Advanced DDR memory termination power with shutdown

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

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