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NE6500379A-T1中文资料
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N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE6500379A is a 3W GaAs MESFET designed for middle power transmitter applications for mobile
communication handset and base station systems. It is capable of delivering 3 watt of output power (CW) with high
linear gain, high efficiency and excellent distortion. Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s
stringent quality and control procedures.
FEATURES
• High Output Power : Po (1dB) = +35 dBm typ.
• High Linear Gain : 10 dB typ.
• High Power Added Efficiency: 50 typ. @VDS = 6 V, IDset = 500 mA, f = 1.9 GHz
NE6500379A-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE6500379A-T1
- 功能描述
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS(最大值/最小值)
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
原厂正品 |
23+ |
SOP8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
NECELECTRON |
24+ |
原装进口原厂原包接受订货 |
965 |
原装现货假一罚十 |
|||
NEC |
23+ |
SMD |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
NECELECTRON |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
NEC |
23+ |
SMD |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
|||
NEC |
0546+ |
十字架 |
615 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
2023+ |
4/STM-86 |
3000 |
进口原装现货 |
||||
NEC |
2023+ |
十字架 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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- NE662M03-T1
- NE685M33
- NE685M33-T3
- NE687M33
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- P97
Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为