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NE5550779A-T1A-A | SiliconPowerLDMOSFET FEATURES •HighOutputPower:Pout=38.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •HighLineargain:GL=22.0dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NE5550779A-T1A-A | SiliconPowerLDMOSFET 文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages | CEL California Eastern Laboratories |  | |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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