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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NE5550779A-T1 | SiliconPowerLDMOSFET FEATURES •HighOutputPower:Pout=38.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •HighLineargain:GL=22.0dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NE5550779A-T1 | SiliconPowerLDMOSFET 文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages | CEL California Eastern Laboratories |  | |
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SiliconPowerLDMOSFET 文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
SiliconPowerLDMOSFET 文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：托盘 描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | | | |
SiliconPowerLDMOSFET 文件：3.56692 Mbytes Page：16 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | |
NE5550779A-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5550779A-T1
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
SILICON POWER LDMOS FET ROHS COMPLIANT - Tape and Reel
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
79A |
34430 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
RENESAS |
21+ |
CAN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
CEL |
22+ |
Na |
2864 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
|||
RENESAS/Renesas Electronics Am |
21+ |
高频管 |
700 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
23+ |
N/A |
48700 |
正品授权货源可靠 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
26261 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||||
CEL |
23+ |
79A |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
RENESAS |
NA |
6784 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
||||
RENESAS |
2018+ |
NA |
30617 |
一级代理全新原装热卖 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
79A |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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