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NE52418

GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER NPN GaAs HBT DESCRIPTION The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile communication equipment. FEATURES • Ideal for low noise and high gain amplifiers NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@

RENESAS

瑞萨

NE52418

NECs L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT

文件:196 Kbytes Page:6 Pages

CEL

California Eastern Labs

GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER NPN GaAs HBT DESCRIPTION The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile communication equipment. FEATURES • Ideal for low noise and high gain amplifiers NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@

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包装:散装 描述:EVAL BOARD FOR NE52418 开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板

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封装/外壳:SC-82A,SOT-343 包装:卷带(TR) 描述:RF TRANS NPN 5V 4-SMINI MOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

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California Eastern Labs

NECs L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT

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California Eastern Labs

NE52418产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE52418

  • 功能描述

    MOSFET NPN L-S Lo Noise Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-12 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
410
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RENESAS/瑞萨原装特价NE52418-T1即刻询购立享优惠#长期有货
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23+
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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面议
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880000
明嘉莱只做原装正品现货

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  • NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C

    NE3512S02-T1C,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D

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  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,

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