型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NE52418

GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER NPN GaAs HBT DESCRIPTION The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile communication equipment. FEATURES • Ideal for low noise and high gain amplifiers NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@

RENESAS

瑞萨

NE52418

NECs L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT

文件:196 Kbytes Page:6 Pages

CEL

NE52418

L To S Band Low Noise And High Gain Amplifier NPN Gaas Hbt

RENESAS

瑞萨

GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER NPN GaAs HBT DESCRIPTION The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile communication equipment. FEATURES • Ideal for low noise and high gain amplifiers NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@

RENESAS

瑞萨

包装:散装 描述:EVAL BOARD FOR NE52418 开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板

CEL

封装/外壳:SC-82A,SOT-343 包装:卷带(TR) 描述:RF TRANS NPN 5V 4-SMINI MOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

CEL

NECs L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT

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CEL

NE52418产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE52418

  • 功能描述

    MOSFET NPN L-S Lo Noise Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-1 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2511
SOT343
15900
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
NEC
24+
SOT-343
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS/瑞萨
23+
SOT343
26016
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NEC
04+
SOT-343
880000
明嘉莱只做原装正品现货
NEC
23+
SOT23-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
NEC
24+
SOT23-3
5000
只做原装公司现货
NEC
22+
SOT23-3
3000
原装正品,支持实单
NEC
21+
SOT-343
10000
原装现货假一罚十
NEC
22+
SOT-343
6000
十年配单,只做原装
原装NEC
24+
SOT-343
63200
一级代理/放心采购

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    NE5532ADR

    2023-4-14
  • NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8

    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19
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    型号: NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 详细描述 通用-放大

    2021-12-6
  • NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C

    NE3512S02-T1C,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,

    2019-3-22