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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE52418-T1-A | NECsLTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERNPNGaAsHBT 文件：196 Kbytes Page：6 Pages | CEL California Eastern Labs |  |   |
NE52418-T1-A | 封装/外壳：SC-82A，SOT-343 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 5V 4-SMINI MOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | CEL California Eastern Labs | | |
GaAsHETEROJUNCTIONBIPOLARTRANSISTOR LtoSBANDLOWNOISEANDHIGHGAINAMPLIFIER NPNGaAsHBT DESCRIPTION TheNE52418isanNPNGaAsHBT(HeterojunctionBipolarTransistor)developedforLtoSbandmobile communicationequipment. FEATURES •Idealforlownoiseandhighgainamplifiers NF=0.95dBTYP.,Ga=17dBTYP.(@ | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
NE52418-T1-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE52418-T1-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 L to S Band LW Noise AMP NPN GaAs HBT
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
20+ |
SOT343 |
15900 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT343 |
15900 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NEC |
22+ |
SOT-343 |
32653 |
原装正品现货 |
|||
PHI |
24+ |
SOP |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT343 |
26016 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
PHI |
23+ |
SOP-28 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
PHI |
22+ |
SOP |
5000 |
只做原装,假一赔十 |
|||
PHI |
2447 |
SOP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
NEC |
23+ |
SOT23-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
PHI |
23+ |
SOP-28 |
7000 |
绝对全新原装!现货!特价!请放心订购! |
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2023-4-14NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
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2022-2-19NE5532DR原装热卖库存
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2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
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2019-12-17NE3512S02-T1D
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2019-3-22
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