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NE52418-T1

GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER NPN GaAs HBT DESCRIPTION The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile communication equipment. FEATURES • Ideal for low noise and high gain amplifiers NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@

RENESAS

瑞萨

封装/外壳:SC-82A,SOT-343 包装:卷带(TR) 描述:RF TRANS NPN 5V 4-SMINI MOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

CEL

California Eastern Labs

NECs L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT

文件:196 Kbytes Page:6 Pages

CEL

California Eastern Labs

NE52418-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE52418-T1

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    Trans GP BJT NPN 3V 0.04A 4-Pin Super Mini-Mold T/R

更新时间:2025-8-11 16:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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