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NE52418中文资料

厂家型号

NE52418

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231.33Kbytes

页面数量

14

功能描述

GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

MOSFET NPN L-S Lo Noise Amp

数据手册

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简称

RENESAS瑞萨

生产厂商

Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

NE52418数据手册规格书PDF详情

L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER

NPN GaAs HBT

DESCRIPTION

The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile

communication equipment.

FEATURES

• Ideal for low noise and high gain amplifiers

NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz, ZS = ZL = 50 W)

IIP3 = +8 dBm TYP. (@ VCE = 2.5 V, IC = 8 mA, f = 2 GHz, 1 tone, ZS = ZL = Zopt)

• 4-pin super minimold package employed (SOT-343 style)

• Grounded emitter transistor

APPLICATIONS

• Mobile communication terminals and other L to S band microwave communication applications

NE52418产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE52418

  • 功能描述

    MOSFET NPN L-S Lo Noise Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-17 20:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-343
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 114531条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为