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L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER
NPN GaAs HBT
DESCRIPTION
The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile
communication equipment.
FEATURES
• Ideal for low noise and high gain amplifiers
NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz, ZS = ZL = 50 W)
IIP3 = +8 dBm TYP. (@ VCE = 2.5 V, IC = 8 mA, f = 2 GHz, 1 tone, ZS = ZL = Zopt)
• 4-pin super minimold package employed (SOT-343 style)
• Grounded emitter transistor
APPLICATIONS
• Mobile communication terminals and other L to S band microwave communication applications
NE52418产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE52418
- 功能描述
MOSFET NPN L-S Lo Noise Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-343 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
RENESAS |
2023+ |
SOT343 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT343 |
15900 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT343 |
15900 |
进口原装 |
|||
RENESAS |
20+ |
SOT343 |
15900 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
RENESAS |
25+ |
SOT343 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT343 |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT343 |
26016 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
NEC |
16+ |
SOT23-3 |
10000 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
NEC |
17+ |
SOT23-3 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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- NE428M01-T1
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- NE5500134-T1-AZ
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- NE5500179A-T1
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- NE5500234-AZ
- NE5500234-T1
- NE5500234-T1-AZ
- NE5500434
- NE5500434-AZ
- NE5500434-T1
- NE5500434-T1-AZ
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P99
- P100
Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为