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位置：首页 > IC中文资料第1416页 > NE4210S

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE4210S01

XtoKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGainNF=0.5dBT

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE4210S01

SUPERLOWNOISEHJFET

DESCRIPTION NECSNE4210S01isapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAIGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandling.Itsexcellentlown

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE4210S01

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.5dBTYP.

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NE4210S01-T1

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.5dBTYP.

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NE4210S01-T1

SUPERLOWNOISEHJFET

DESCRIPTION NECSNE4210S01isapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAIGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandling.Itsexcellentlown

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE4210S01-T1

XtoKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGainNF=0.5dBT

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE4210S01-T1B

XtoKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGainNF=0.5dBT

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE4210S01-T1B

SUPERLOWNOISEHJFET

DESCRIPTION NECSNE4210S01isapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAIGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandling.Itsexcellentlown

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE4210S01-T1B

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.5dBTYP.

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NE4210S01

封装/外壳：4-SMD 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：HJ-FET 13DB S01 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE4210S01-T1B

封装/外壳：4-SMD 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：HJ-FET 13DB S01 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
4210

SPDTUltraCMOS??RFSwitchDC-3000MHz

ProductDescription ThePE4210UltraCMOS™RFSwitchisdesignedtocoverabroadrangeofapplicationsfromnearDCto3000MHz.Thissingle-supplyswitchintegrateson-boardCMOScontrollogicdrivenbyasimple,single-pinCMOSorTTLcompatiblecontrolinput.Usinganominal+3-voltpowersupp

Peregrine

Peregrine Semiconductor

Peregrine
4210-CVU

4200A-SCSParameterAnalyzer

文件：3.4507 Mbytes Page：45 Pages

TEKTRONIXTektronix

泰克泰克科技(中国)有限公司

TEKTRONIX
4210-P

NylonWireHarnessClamps

文件：109.24 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

Heyco

Heyco
4210-SMU

4200A-SCSParameterAnalyzer

文件：3.4507 Mbytes Page：45 Pages

TEKTRONIXTektronix

泰克泰克科技(中国)有限公司

TEKTRONIX
ADF4210

DualRF/IFPLLFrequencySynthesizers

文件：251.63 Kbytes Page：20 Pages

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

NE4210S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE4210S

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS（最大值/最小值）

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

NE4210S供应商更多...

更新时间：2024-6-3 18:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
NE4210S01-T1
RENESAS
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NE4210S01
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
NE4210S01-T1B
NEC
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SO86
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NE4210S01
RENESAS/瑞萨
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    NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，

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