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DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 160 µm
NE4210S01-T1B产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE4210S01-T1B
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
更新时间：2025-12-4 11:16:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC/RENESAS |
2025+ |
SMT-86 |
5000 |
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NEC |
2021+ |
SMT-86 |
12000 |
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NEC |
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SMT86 |
9000 |
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NEC |
25+23+ |
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||||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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|||
NEC |
10+PBF |
SMT86 |
714 |
现货 |
|||
NEC |
21+ |
SMD |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
NEC |
24+ |
NA/ |
47 |
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NEC |
SMT86 |
68500 |
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NEC |
2450+ |
SMT86 |
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