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DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 160 µm
NE4210S01产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE4210S01
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2025+ |
SMT-86 |
32560 |
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NEC |
24+ |
SO86 |
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NEC |
2021+ |
SMT-86 |
12000 |
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NEC |
SMT-86 |
10+ |
5000 |
原装现货价格有优势量多可发货 |
|||
NEC |
24+ |
NA/ |
7650 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
NEC |
24+ |
SO86 |
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NEC |
17+ |
SO86 |
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NEC |
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SO86 |
12000 |
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NEC |
14 |
SMT-86 |
6000 |
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Renesas Electronics America 日本瑞萨电子株式会社
中文资料: 17181条
Renesas Electronics America是日本瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics Corporation）在美国的分支机构，专注于提供各种高性能微控制器、模拟和数字集成电路解决方案。瑞萨电子成立于2002年，是全球领先的半导体制造商，致力于满足汽车、工业、消费电子和通信等多领域的需求。 Renesas Electronics America 提供的产品包括微控制器、微处理器、模拟IC、功率管理IC和系统级集成解决方案，广泛应用于各类嵌入式系统和智能设备中。公司以技术创新为核心竞争力，致力于不断推动产品性能和能效的提升，以满足客户在智能化和数字化时代的需求。
