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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：269.67 Kbytes Page：8 Pages | CEL |   | ||
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：285.12 Kbytes Page：8 Pages | CEL | | ||
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K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：269.67 Kbytes Page：8 Pages | CEL | |
NE3514S02-T1B-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3514S02-T1B-A
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3410 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
10+ |
SMT-86 |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SMT-86 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
Renesas |
20+ |
SMD |
1648 |
20+ |
|||
RENESAS |
21+ |
SMT86 |
1458 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SMT-86 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
SMT86 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
1301+ |
SMT86 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
CEL |
22+ |
S02 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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- NE-3U
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- NE38018-TI-67
- NE38018-T2
- NE38018-T1
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- NE3514S02-T1D-A
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2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
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2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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