型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NE3514S02-T1C

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:269.67 Kbytes Page:8 Pages

CEL

NE3514S02-T1C

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:202 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞萨

NE3514S02-T1C

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:285.12 Kbytes Page:8 Pages

CEL

封装/外壳:4-SMD,扁平引线 包装:卷带(TR) 描述:HJ-FET NCH 10DB S02 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

CEL

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:269.67 Kbytes Page:8 Pages

CEL

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:269.67 Kbytes Page:8 Pages

CEL

NE3514S02-T1C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3514S02-T1C

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

更新时间:2025-10-30 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/原装
23+
SMD
165
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS/原装
2511
SMD
165
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS/瑞萨
2023+
SMD
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
RENESAS/瑞萨
2450+
SMT86
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
NEC
23+
26000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
RENESAS/瑞萨
2223+
SMD
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
RENESAS/瑞萨
23+
SMD
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS/瑞萨
1301+
SMT86
880000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
CEL
22+
S02
9000
原厂渠道,现货配单

NE3514S02-T1C数据表相关新闻

  • NE5532ADR

    NE5532ADR

    2023-4-14
  • NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8

    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19
  • NE5532DR原装热卖库存

    型号: NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 详细描述 通用-放大

    2021-12-6
  • NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C

    NE3512S02-T1C,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,

    2019-3-22