型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NE3514S02-T1D

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:269.67 Kbytes Page:8 Pages

CEL

NE3514S02-T1D

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:202 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞萨

NE3514S02-T1D

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:285.12 Kbytes Page:8 Pages

CEL

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:269.67 Kbytes Page:8 Pages

CEL

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:202 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞萨

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:285.12 Kbytes Page:8 Pages

CEL

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:269.67 Kbytes Page:8 Pages

CEL

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:269.67 Kbytes Page:8 Pages

CEL

NE3514S02-T1D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3514S02-T1D

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

更新时间:2025-10-31 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
350
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS
24+
SMD
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
NEC
24+
SMD
990000
明嘉莱只做原装正品现货
NEC
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
RENESAS(瑞萨)/IDT
20+
S02
3000
RENESAS
24+
S0-2
32890
长期供应原装现货实单可谈
RENESAS
23+
SMD
2928
原厂原装正品
RENESAS
1211+
SMD
428
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
NEC
23+
SMD
6000
专业配单保证原装正品假一罚十
Renesas(瑞萨)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

NE3514S02-T1D数据表相关新闻

  • NE5532ADR

    NE5532ADR

    2023-4-14
  • NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8

    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19
  • NE5532DR原装热卖库存

    型号: NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 详细描述 通用-放大

    2021-12-6
  • NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C

    NE3512S02-T1C,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,

    2019-3-22