位置：首页 > IC中文资料第5215页 > NE3514S02-T1C-A
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE3514S02-T1C-A | KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：269.67 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories |  |   |
NE3514S02-T1C-A | 封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：卷带（TR） 描述：HJ-FET NCH 10DB S02 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | | |
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：269.67 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：202 Kbytes Page：11 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：285.12 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：269.67 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | |
NE3514S02-T1C-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3514S02-T1C-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2020+ |
SMD |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SMT-86 |
16000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
10+ |
SMT-86 |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
1301+ |
SMT86 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SMT86 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2023+ |
SMT-86 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SMT-86 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
NEC |
2023+ |
SMD |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022 |
SMT86 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
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2019-12-17NE3512S02-T1D
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2019-12-17NE3512S02-T1D
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2019-3-22
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