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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE3514S02-T1C-A | K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：269.67 Kbytes Page：8 Pages | CEL |   | |
NE3514S02-T1C-A | 封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：卷带（TR） 描述：HJ-FET NCH 10DB S02 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL | | |
K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：269.67 Kbytes Page：8 Pages | CEL | | ||
K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：202 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：285.12 Kbytes Page：8 Pages | CEL | | ||
K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：269.67 Kbytes Page：8 Pages | CEL | |
NE3514S02-T1C-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3514S02-T1C-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
1957 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS |
24+ |
SMD |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
10+ |
SMT-86 |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SMT-86 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
NEC |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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RENESAS |
21+ |
SMT86 |
1458 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SMT-86 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
SMT86 |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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RENESAS |
23+ |
SMD |
2928 |
原厂原装正品 |
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2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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