MicroWaveTechnology,Inc.是一家全球领先的制造商，产品覆盖射频和微波分立半导体产品、砷化镓和氮化镓射频功率放大器、低噪声pHEMT器件、MMIC、无线放大器、混合式模块以及连接化的微波放大器。MicroWaveTechnology,Inc.(MwT)由几位技术负责人于1982年在加利福尼亚州硅谷成立，他们在砷化镓(GaAs)器件设计和制造方面拥有丰富的经验。公司拥有占地35000平方英尺的工厂，主要资产包括其砷化镓半导体制造设施以及混合式芯片和线微波集成电路(HMIC)制造设施。垂直制造和产品优势给MwT在微波元件市场带来了非同寻常的灵活性和机遇。MwT是美国分立砷化镓二极管和晶体管（FET、pHEMT和效应二极管）的领先制造商。早期工作集中在专有的金属喷镀系统对器件可靠性的影响方面，该工艺能使MwT的器件不受氢污染影响，而这一点对高可靠性行业来说至关重要。这些器件采用专有环氧氯丙烷材料和四分之一微米凹进栅极工艺技术，可以生产出更高线性度（+48dBmIP3，在1WP-1dB无线放大器中）和更低相位噪声（-125dBc，在17.5GHzDRO条件下发生100KHz偏移时）的额定功率输出从10毫瓦至5瓦的器件。这些器件采用芯片式或封装式出售，广泛用于无线基础设施系统、工业射频应用以及在各种国防和空间电子设备中广泛用于从10MHz至40GHz的传输或信息接收信号的放大。凭借MwT砷化镓FET的低互调失真特性，该公司名声鹤起，其中以针对多载波或数字调制（高线性度）无线基础设施和军用通信系统的小型内匹配模块化表面贴装发送和接收放大器模块产品线最为出名。主要应用包括蜂窝设备、PC和WLL基站以及军用高可靠性通信系统中的接收器前端和驱动器或微微蜂窝输出放大器。值得注意的新产品能够简化高关键性高线性度功率放大器级联中的增益插入，具有极低输入和输出回波损耗。MwT为内部和外部客户提供高度可靠的、成熟型薄膜电路处理能力。MwT采用薄膜混合微电路结构生产和销售各种高达26GHz的标准模块化放大器产品。这些模块也是MwT为国防和电信应用设计和制造标准和定制型连接化放大器的构造元。MwT具有多年为客户专门设计制造的经验，具有丰富的基于MwT器件的定制设计库。MwT同时使用标准和定制版零件，生产专门的放大器和板卡级产品。我们成熟的经验与业绩记录可以帮助您节省设计成本、时间和工程资源。具体实例包括低频率低噪声放大器、无线LNA升压放大器、集成构造块、高频振荡器、评估板和测试夹具。