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Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Features ● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) ● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. ● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. ● Low leak current: ICES = 1 A max. ● Isolated package TO-220FL

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) * High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. * Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. * Low leak current: ICES= 1 A max.

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Silicon N Channel IGBT High speed power switching

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) * High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. * Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. * Low leak current: ICES= 1 A max.

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更新时间:2026-1-1 17:02:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
25+
ROHS
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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TO-252
5000
全新原装正品,现货销售
RENESAS
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TO-220F
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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保证进口原装可开17%增值税发票
RENESAS/瑞萨
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SOT252
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
RENESAS
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公司只做原装 品质保障
RENESAS/瑞萨
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TO-252
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现货很近!原厂很远!只做原装
RENESAS
24+
TO-220
16900
原装正品现货支持实单
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11+
TO-220
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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