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RJP30H1DPD中文资料
RJP30H1DPD数据手册规格书PDF详情
* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
* High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.
* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.
* Low leak current: ICES= 1 A max.
RJP30H1DPD产品属性
- 类型
描述
- 型号
RJP30H1DPD
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
更新时间：2025-10-5 23:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
9548 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-252 |
400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
RENESAS |
18+ |
TO-252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
RENESAS |
14+ |
TO-252 |
1300 |
现货 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO-252 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
18+ |
SOT-252 |
1600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
25+ |
SOT-252 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT-252 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
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