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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cell

Motorola

摩托罗拉

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:NI-1230 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

2110-2170 MHz, 52 W Avg., 2 x W-CDMA, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

封装/外壳:NI-1230 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF5P21240HR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5P21240HR

  • 功能描述

    MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-1-4 11:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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9000
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