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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF5P21240HR6 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF5P21240HR6 | 封装/外壳：NI-1230 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF5P21240HR6 | 2110-2170 MHz, 52 W Avg., 2 x W-CDMA, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF5P21240HR6产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5P21240HR6
- 功能描述
MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE/飞思卡尔 |
22+ |
NA |
201000 |
可订货 请确认 |
|||
FREESCALE |
24+ |
119 |
现货供应 |
||||
Freescale |
24+ |
NI-1230 |
450 |
原装现货假一罚十 |
|||
FREESCA |
08+ |
SMD |
85 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FREESCALE/飞思卡尔 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
FREESCALE |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FREESCALE/飞思卡尔 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
FREESCALE/飞思卡尔 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
FREESCALE |
22+ |
TO-272WB-4 |
2000 |
原装现货库存.价格优势 |
|||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
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- MRF5S19100HSR3
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- MRF5S19100HR3
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- MRF5S19100HD
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- MRF5S19090HSR3
- MRF5S19090HR5
- MRF5S19090HR3
- MRF5S19060NR1_08
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2019-11-30
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