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位置：首页 > IC中文资料第52页 > MMBT5551L

MMBT5551L价格

参考价格：￥0.1036

型号：MMBT5551LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBT5551L多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT5551L批发/采购报价，MMBT5551L行情走势销售排行榜，MMBT5551L报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBT5551L

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551L-A-AE3-B-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551L-A-AE3-C-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551L-A-AE3-E-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551L-B-AE3-B-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551L-B-AE3-C-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551L-B-AE3-E-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551L-C-AE3-B-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551L-C-AE3-C-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551L-C-AE3-E-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551LT1

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

AVICTEKAvic Technology

AvicTechnology

AVICTEK
MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors(NPNSilicon)

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors(NPNSilicon)

HighVoltageTransistors NPNSilicon

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMBT5551LT1

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheMMBT5551LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

TGS
MMBT5551LT1

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

HIGHVOLTAGETRANSISTOR ●CollectorDissipation:Pc-225mW(Ta=25°) ●Collector-EmillerVoltage:VCEO=160V

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3G

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551L-X-AE3-6-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors

文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1_15

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

文件：153.2 Kbytes Page：2 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
MMBT5551LT1G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistorsNPNSilicon

文件：127.52 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3

HighVoltageTransistors

文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3G

HighVoltageTransistors

文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3G

HighVoltageTransistorsNPNSilicon

文件：127.52 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551L-X-AE3-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：149.89 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
5551

ColdShrink]RubberSplicingKits

1.ProductDescription 3M]5550SeriesColdShrink]RubberSplicingKitsare designedforsplicing5/8kVshieldedandnon-shielded,solid dielectric,powercables.Eachkitcontainsallthematerials (exceptconnectors)requiredtoconstruct3single-conductor splicesontapeshield,wiresh

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M
5551AB

500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications

文件：123.14 Kbytes Page：4 Pages

SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas.

Systemsensor advanced ideas.

SYSTEMSENSOR
5551B

500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications

文件：123.14 Kbytes Page：4 Pages

SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas.

Systemsensor advanced ideas.

SYSTEMSENSOR
5551R

500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications

文件：123.14 Kbytes Page：4 Pages

SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas.

Systemsensor advanced ideas.

SYSTEMSENSOR
5551RA

500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications

文件：123.14 Kbytes Page：4 Pages

SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas.

Systemsensor advanced ideas.

SYSTEMSENSOR

MMBT5551L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT5551L

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551L供应商更多...

更新时间：2024-6-16 23:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市富利微电子科技有限公司
MMBT5551LT1G
ON
23+
SOT-23
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
深圳市杰顺创科技有限公司
MMBT5551LT1G
ON/安森美
20+
SOT-23
2584
全新原装现货
询价
深圳市高捷芯城科技有限公司
MMBT5551LT3G
onsemi(安森美)
23+
SOT-23(TO-236)
7957
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
MMBT5551LT3G
ON(安森美)
23+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
深圳市凌旭科技有限公司
MMBT5551LT1G
ON
2016+
SOT23
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
MMBT5551LT1G
ONSEMI/安森美
24+
SOT-23
98000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
MMBT5551LT1G
ON
2020+
SOT-23
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
MMBT5551LT1
MOTOROLA/摩托罗拉
22+
SOT-23
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市华睿芯科技有限公司
MMBT5551LT1G
ON
23+
SOT-23
20000
原厂原装正品现货
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
MMBT5551LT1G
LRC
2020+
SOT-23
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
询价

MMBT5551L芯片相关品牌

  • ALLIED
  • DIODES
  • EATON
  • etc2
  • HARTING
  • Littelfuse
  • MERITEK
  • MOLEX1
  • NSC
  • RALTRON
  • SUMIDA
  • TEC

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