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位置：首页 > IC中文资料第330页 > MMBF170

MMBF170价格

参考价格：￥0.1615

型号：MMBF170 品牌：Fairchild 备注：这里有MMBF170多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBF170批发/采购报价，MMBF170行情走势销售排行榜，MMBF170报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBF170

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanb

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
MMBF170

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170

0.5A,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCMMBF170isanN-channelenhancementMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),lowinputcapacitance,lowgatethresholdvoltageandhighswitchingspeed. FEATURES *RDS(ON)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBF170

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ●Surface-mountedpackage ●Advancedtrenchcelldesign ●Extremelylowthresholdvoltage ●ESDprotected(HBM>2KV) Quickreference ●BV≧60V ●Ptot≦0.83W ●ID≦0.5A ●RDS(ON)≦3Ω@VGS=10V ●RDS(ON)≦4Ω@VGS=4.5V

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
MMBF170

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

文件：517.87 Kbytes Page：13 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
MMBF170G-AE2-R

0.5A,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCMMBF170isanN-channelenhancementMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),lowinputcapacitance,lowgatethresholdvoltageandhighswitchingspeed. FEATURES *RDS(ON)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBF170L

PowerMOSFET

PowerMOSFET 500mA,60V,N−ChannelSOT−23 Features •NVBFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170L-AE2-R

0.5A,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCMMBF170isanN-channelenhancementMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),lowinputcapacitance,lowgatethresholdvoltageandhighswitchingspeed. FEATURES *RDS(ON)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBF170LT1

PowerMOSFET500mA,60V

PowerMOSFET500mA,60V N-ChannelSOT-23 Features •Pb-FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170LT1

TMOSFETTransistor

TMOSFETTransistor N–Channel

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MMBF170LT1G

PowerMOSFET500mA,60V

PowerMOSFET500mA,60V N-ChannelSOT-23 Features •Pb-FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170LT1G

PowerMOSFET

PowerMOSFET 500mA,60V,N−ChannelSOT−23 Features •NVBFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170LT3

PowerMOSFET500mA,60V

PowerMOSFET500mA,60V N-ChannelSOT-23 Features •Pb-FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170LT3G

PowerMOSFET500mA,60V

PowerMOSFET500mA,60V N-ChannelSOT-23 Features •Pb-FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170LT3G

PowerMOSFET

PowerMOSFET 500mA,60V,N−ChannelSOT−23 Features •NVBFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170Q

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170Q-13-F

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170Q-7-F

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170_08

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

文件：132.84 Kbytes Page：3 Pages

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170_1

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

文件：79.45 Kbytes Page：4 Pages

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170_15

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

文件：200.12 Kbytes Page：5 Pages

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170-13-F

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

文件：200.12 Kbytes Page：5 Pages

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170-7-F

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

文件：200.12 Kbytes Page：5 Pages

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170-7-F

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

文件：132.84 Kbytes Page：3 Pages

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170-7-F

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

文件：79.45 Kbytes Page：4 Pages

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
MMBF170LT1

PowerMOSFET500mA,60VN-ChannelSOT-23

文件：82.76 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170LT1_08

PowerMOSFET500mA,60VN-ChannelSOT-23

文件：82.76 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170LT1G

PowerMOSFET500mA,60VN-ChannelSOT-23

文件：82.76 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170LT1G

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件：1.7408 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
MMBF170LT3

PowerMOSFET500mA,60VN-ChannelSOT-23

文件：82.76 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBF170LT3G

PowerMOSFET500mA,60VN-ChannelSOT-23

文件：82.76 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
(+)SMBJ170A

SurfaceMountTRANSZORBTransientVoltageSuppressors

FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
170

RODSEALS

DESCRIPTION TheBECA170-179profilesare doubleactingcompositerodseals composedofafilledPTFEfrictionring andpre-tightenedrubberO'Ring.They canbemountedinthegroovesof theO'Rings.Optionofconnecting thesealto1or2back-uprings. APPLICATIONS Machinetools

FRANCEJOINT

France Joint

FRANCEJOINT
170

HardWired170Series

文件：124.25 Kbytes Page：1 Pages

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

HAMMOND
170

RUGGEDandLIGHTWEIGHTALUMINUMBATTERYHOLDERS

文件：115.71 Kbytes Page：2 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
170

CustomPowerModules

文件：40.15 Kbytes Page：2 Pages

BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司

BITECH

MMBF170产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBF170

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch Enhance

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

MMBF170供应商更多...

更新时间：2025-7-22 20:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
MMBF170
FAIRCHILD/仙童
25+
SOT-23
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深圳市科芯源微电子有限公司
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