位置：首页 > IC中文资料第1956页 > MMBF170LT3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBF170LT3 | PowerMOSFET500mA,60V PowerMOSFET500mA,60V N-ChannelSOT-23 Features •Pb-FreePackagesareAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
MMBF170LT3 | PowerMOSFET500mA,60VN-ChannelSOT-23 文件：82.76 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
PowerMOSFET PowerMOSFET 500mA,60V,N−ChannelSOT−23 Features •NVBFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
PowerMOSFET500mA,60V PowerMOSFET500mA,60V N-ChannelSOT-23 Features •Pb-FreePackagesareAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
PowerMOSFET500mA,60VN-ChannelSOT-23 文件：82.76 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
SurfaceMountLowLeakgeDiodeUltra-SmallSurfaceMountPackage FEATURE ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ● ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliance withRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicati | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |  | | |
SurfaceMountLowLeakgeDiode FEATURE ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliance withRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplications | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 |  | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：102.38 Kbytes Page：4 Pages | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 | | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：102.38 Kbytes Page：4 Pages | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 | | |
MMBF170LT3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBF170LT3
- 功能描述
MOSFET 20V 500mA N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23-3 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
115206 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOT-23-3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON/安森美 |
新年份 |
SOT-23 |
42000 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
SOT-23 |
18800 |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势! |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
SOT-23 |
42000 |
原装现货假一赔十 |
|||
ONSemiconductor |
2025+ |
SOT-23 |
7695 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
ON原装 |
24+ |
SOT-23 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
ON/FAIRCHILD |
20+ |
SOT23-3 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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2022-7-4MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
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2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）- 漏源电压（Vdss）- 栅源极阈值电压- 漏源导通电阻- 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）225mW
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2019-2-25
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