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位置：首页 > IC中文资料第2183页 > MJD3055

MJD3055晶体管资料

  • MJD3055别名：MJD3055三极管、MJD3055晶体管、MJD3055晶体三极管

  • MJD3055生产厂家：韩国三星公司

  • MJD3055制作材料：Darl

  • MJD3055性质：低频或音频放大 （LF）

  • MJD3055封装形式：贴片封装

  • MJD3055极限工作电压：

  • MJD3055最大电流允许值：10A

  • MJD3055最大工作频率：>4MHZ

  • MJD3055引脚数：3

  • MJD3055最大耗散功率：20W

  • MJD3055放大倍数：

  • MJD3055图片代号：G-127

  • MJD3055vtest：0

  • MJD3055htest：4000100

  • MJD3055atest：10

  • MJD3055wtest：20

  • MJD3055代换 MJD3055用什么型号代替：

MJD3055价格

参考价格：￥1.9865

型号：MJD3055T4 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有MJD3055多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD3055批发/采购报价，MJD3055行情走势销售排行榜，MJD3055报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJD3055

ComplementaryPowerTransistors

MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •Strai

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJD3055

GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications

GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE3055T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain-

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
MJD3055

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeMJD2955 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055

TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJE3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10A

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
MJD3055

TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES DesignedforGeneralPurposeAmplifierdanLowSpeed SwitchingApplications ElectricallySimiartoMJE3055 DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
MJD3055

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS NPN 60V 10A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

ComplementaryPowerTransistors

文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

TRANSISTOR(NPN)

文件：80.34 Kbytes Page：1 Pages

FS

First Silicon Co., Ltd

FS
MJD3055

ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

ComplementaryPowerTransistors

文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

COMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS

文件：188.18 Kbytes Page：6 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJD3055-251

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055-252

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055G

ComplementaryPowerTransistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

ComplementaryPowerTransistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

ComplementaryPowerTransistors

文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

ComplementaryPowerTransistors

文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055RLG

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 60V 10A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4

ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

ComplementaryPowerTransistors

文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

ComplementaryPowerTransistors

文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
3055

CustomerSpecification

Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor18(16/30)AWGTinnedCopper0.047 b)Insulation0.016Wall,Nom.PVC0.079+/-0.002 (1)Print ALPHAWIREE163869-*RUAWMSTYLES1569105C OR100780C300VVW-1IEC60332-118AWG ORCRUTR-6490CFT1CEROHS {0}*=FactoryCode

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE
3055

MULTIPLEXEDTWO-WIREHALL-EFFECTSENSORICs

MULTIPLEXEDTWO-WIREHALL-EFFECTSENSORICs TheUGN3055UHall-effectsensorisadigitalmagneticsensingICcapableofcommunicatingoveratwo-wirepower/signalbus.Usingasequentialaddressingscheme,thedevicerespondstoasignalonthebusandreturnsthediagnosticstatusoftheIC,as

ALLEGRO

Allegro MicroSystems

ALLEGRO
3055

WASHERSANDNUTS

[KEYSTONE] FIBRESHOULDERWASHERS HEXMACHINENUTS NYLONSHOULDERWASHER/BUSHINGS BLINDCAPTIVENUTS-PRESSFIT METRICMACHINENUTS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
3055

CustomerSpecification

文件：70.18 Kbytes Page：3 Pages

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE
3055

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件：959.93 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

MJD3055产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD3055

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJD3055供应商更多...

更新时间：2025-7-31 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MJD3055RLG
onsemi(安森美)
24+
TO-252
2176
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
MJD3055
CJ/长电
24+
NA/
15000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
MJD3055
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
MJD3055
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
TO252
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市星辰微电科技有限公司
MJD3055
ON
22+
TO-220-3
50000
ON二三极管全系列在售
询价
深圳市芯球通科技有限公司
MJD3055T4G
ON(安森美)
23+
TO-252-2(DPAK)
12055
公司只做原装正品,假一赔十
询价
深圳市威雅利发展有限公司
MJD3055
长电
2021
TO-252
30312
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
MJD3055T4G
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
深圳市凯睿晟科技有限公司
MJD3055
CJ/长电
21+
TO-252
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
询价
深圳市赛尔通科技有限公司
MJD3055T4G
ON
23+
DPAK
56000
询价

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  • WPI
  • YANGJIE

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