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MJD3055-251中文资料

厂家型号

MJD3055-251

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2

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

MJD3055-251数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 60V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= 1.1V(Max) @IC= 4A

·Complement to Type MJD2955

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

更新时间:2025-8-11 13:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ/长晶
24+
TO-251
60000
MCC/美微科
25+
TO-251
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
ON
24+
DPAK4LEADSingleG
8866
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NA
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23+
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50000
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