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MJD3055-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.1V(Max) @IC= 4A ·Complement to Type MJD2955 APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-10-27 23:00:00
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