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MJD3055G

ComplementaryPowerTransistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

ComplementaryPowerTransistors

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封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:托盘 描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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ALLEGRO

Allegro MicroSystems

ALLEGRO

CustomerSpecification

Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor18(16/30)AWGTinnedCopper0.047 b)Insulation0.016Wall,Nom.PVC0.079+/-0.002 (1)Print ALPHAWIREE163869-*RUAWMSTYLES1569105C OR100780C300VVW-1IEC60332-118AWG ORCRUTR-6490CFT1CEROHS {0}*=FactoryCode

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

CustomerSpecification

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ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE

MJD3055G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD3055G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-7-28 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
506
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
onsemi(安森美)
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ON/安森美
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ON/安森美
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DPAK
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