| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP83P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 8.8 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −41.5 A) RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −41.5 A) • High current rating: ID | NEC 瑞萨 |   | ||
-60V – -83A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance : RDS(on) = 8.8 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -41.5 A ) RDS(on) = 12 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -41.5 A ) Low input capacitance : Ciss | RENESAS 瑞萨 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS/瑞萨 |
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2013-1-17
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