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DESCRIPTION

The NP83P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 8.8 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −41.5 A)

RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −41.5 A)

• High current rating: ID(DC) = ±83 A

NP83P06PDG供应商...

更新时间：2026-1-30 15:30:00

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