IXXN110N65C4H1价格

参考价格:¥97.4274

型号:IXXN110N65C4H1 品牌:IXYS 备注:这里有IXXN110N65C4H1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXXN110N65C4H1批发/采购报价,IXXN110N65C4H1行情走势销售排行榜,IXXN110N65C4H1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXXN110N65C4H1

XPTTM 650V GenX4TM

XPT™ 650V GenX4™ w/ Sonic Diode Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching Features • International Standard Package • miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation • 2500V~ Isolation Voltage • Anti-Parallel Sonic Diode • Optimized for 20-60kHz Switching • Square RBSOA • Short C

IXYS

IXXN110N65C4H1

IGBT

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.35V@IC=110A ·High Current Handling Capability ·High Power Density ·Short Circuit Capabiltiy APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·Power Inverters ·UPS,PFC ·High Frequency Power Inverters

ISC

无锡固电

IXXN110N65C4H1

IGBT

DESCRIPTION · Short Circuit Capability · High Current Handling Capability APPLICATIONS · Power Inverters · UPS · Motor Drives · Welding Machines · SMPS · High Frequency Power Inverters

ISC

无锡固电

IXXN110N65C4H1

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:散装 描述:IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

IXXN110N65C4H1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXXN110N65C4H1

  • 功能描述

    IGBT 模块 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-8-11 19:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
24+
Module
1262
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!
IXYS/艾赛斯
1926+
MODULE
585
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXYS
24+
MODULE
1000
全新原装现货
IXYS/艾赛斯
19+
MODULE
1290
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
IXYS/艾赛斯
2023+
MODULE
52
主打螺丝模块系列
IXYS
25+
SOT-227-4 miniBLOC
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
22+
SOT227B
9000
原厂渠道,现货配单
IXFN
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保

IXXN110N65C4H1数据表相关新闻