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IXXN110N65C4H1中文资料
IXXN110N65C4H1数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
· Short Circuit Capability
· High Current Handling Capability
APPLICATIONS
· Power Inverters
· UPS
· Motor Drives
· Welding Machines
· SMPS
· High Frequency Power Inverters
IXXN110N65C4H1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXXN110N65C4H1
- 功能描述
IGBT 模块 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-5-16 19:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
SOT-227-4,miniBLOC |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
|||
IXYS |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
IXYS |
23+ |
IGBT650V210A750WSOT227B |
1696 |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
1926+ |
MODULE |
585 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
IXYS |
1809+ |
SOT-227 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
22+ |
SOT227B |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
21+ |
SOT227B |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IXYS |
23+ |
SOT227B |
9000 |
原装正品，支持实单 |
IXXN110N65C4H1 价格
参考价格：￥97.4274
型号：IXXN110N65C4H1 品牌：IXYS 备注：这里有IXXN110N65C4H1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXXN110N65C4H1批发/采购报价，IXXN110N65C4H1行情走势销售排排榜，IXXN110N65C4H1报价。
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- P96
- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26355条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
