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位置：首页 > IC中文资料第12677页 > IXTQ200N085T

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXTQ200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：301.31 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXTQ200N085T

TrenchMVPowerMOSFET

文件：211.28 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTA200N085T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTA200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.0mΩ@VGS=10V •Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverters •HighCurrentSwi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXTA-200N085T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXTH200N085

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXTC200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：295.62 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXTQ200N085T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTQ200N085T

  • 功能描述

    MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IXTQ200N085T供应商更多...

更新时间：2024-5-30 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
IXTQ200N10T
IXYS
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纳立只做原装正品13590203865
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IXYS/艾赛斯
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IXTQ200N085T
IXYS
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IXTQ200N10T
IXYS
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IXTQ200N085T
IXYS/艾赛斯
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深圳市芯福林电子科技有限公司
IXTQ200N085T
IXYS
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TO3P3 SC653
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深圳廊盛科技有限公司
IXTQ200N10T
IXYS/艾赛斯
2022
TO-3P
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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深圳市赛恒电子科技有限公司
IXTQ200N10T
IXYS/艾赛斯
21+
TO-3P
6688
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