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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXTC200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：295.62 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXTA200N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.0mΩ@VGS=10V •Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverters •HighCurrentSwi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXTA200N085T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXTA-200N085T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXTH200N085

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXTC200N085T供应商更多...

更新时间：2025-7-27 15:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市一线半导体有限公司
IXTC200N085T
IXYS
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ISOPLUS220trade
100
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深圳市创新迹电子有限公司
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IXYS/艾赛斯
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