位置：首页 > IC中文资料第5351页 > IXTP4N60P
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTP4N60P | PolarHV Power MOSFET 文件：147.08 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXTP4N60P | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.96 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
IXTP4N60P | N-Channel: Standard Power MOSFETs | Littelfuse 力特 | | |
4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N60is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications i | UTC 友顺 | | ||
4 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET 文件：543.79 Kbytes Page：5 Pages | ESTEK 伊泰克电子 | | ||
4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：397.76 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：987.64 Kbytes Page：7 Pages | ARTSCHIP | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：607.6 Kbytes Page：7 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | |
IXTP4N60P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTP4N60P
- 功能描述
MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
246 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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IXYS |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-220-3 |
71440 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-220 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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VB |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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IXYS |
24+ |
TO-220 |
8866 |
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I |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VB |
23+ |
TO-220 |
7000 |
IXTP4N60P规格书下载地址
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瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
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