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IXTP4N60P中文资料

厂家型号

IXTP4N60P

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds

数据手册

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生产厂商

ISC

IXTP4N60P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTP4N60P

  • 功能描述

    MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 10:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-220
8866
IXYS
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
25+
TO-220
3675
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VBSEMI/台湾微碧
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
VB
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
IXYS
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
IXYS
23+
TO-220-3
71440
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
VB
23+
TO-220
8000
只做原装现货
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售

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