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800V N-Channel MOSFET

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=12.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.75Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

800V N-Channel MOSFET

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av

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仙童半导体

800V N-Channel MOSFET

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仙童半导体

800V N-Channel MOSFET

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更新时间:2025-12-16 15:15:01
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