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N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • High frequency DC-DC converters • Uninterruptible Power Supplies • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤55mΩ • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operatio

ISC

无锡固电

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.055ohm, Id=44A)

Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters

IRF

High frequency DC-DC converters

Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters

IRF

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • High frequency DC-DC converters • Uninterruptible Power Supplies • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤55mΩ • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operatio

ISC

无锡固电

Fast Switching

文件:68.06 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2025-8-7 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-220
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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NA/
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