制造商: IXYS
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 详细信息
产品: Power MOSFET Modules
类型: Polar Power MOSFET HiPerFET
技术: Si
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
安装风格: Screw Mounts
封装 / 箱体: SOT-227-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: IXFN300N10
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 25 ns
高度: 12.22 mm
Id-连续漏极电流: 295 A
长度: 38.23 mm
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 1.07 kW
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms
上升时间: 35 ns
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子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: HiPerFET
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
宽度: 25.42 mm
单位重量: 30 g
