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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXBT12N300 | High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Gen | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXBT12N300 | 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 包装：托盘 描述：IGBT 3000V 30A 160W TO268 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | |
High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Voltage Package ● High Blocking Voltage ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Generators ● Ca | IXYS 艾赛斯 | | ||
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 包装：管件 描述：IGBT 3000V 30A 160W TO268 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Voltage Package ● High Blocking Voltage ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Generators ● Ca | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Gen | IXYS 艾赛斯 | | ||
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High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor 文件：207.3 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXBT12N300产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBT12N300
- 功能描述
IGBT 3000V 30A 160W TO268
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
BIMOSFET™
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-268 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO268 |
32365 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
22+ |
TO268 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-268 |
8866 |
||||
IXYS/Littelfuse |
25+ |
TO-268 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
7000 |
||||
IXYS |
25+ |
TO-268-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
2405+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
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2020-4-10
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