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IXBF12N300中文资料

厂家型号

IXBF12N300

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207.3Kbytes

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5

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

IGBT 3000V 22A 100W ISOPLUSI4

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXBF12N300产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXBF12N300

  • 功能描述

    IGBT 3000V 22A 100W ISOPLUSI4

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    BIMOSFET™

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
i4-PAC
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IXYS
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IXBF12N300 价格

参考价格:¥166.9450

型号:IXBF12N300 品牌:IXYS 备注:这里有IXBF12N300多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXBF12N300批发/采购报价,IXBF12N300行情走势销售排排榜,IXBF12N300报价。